通知内容：

为培养和提高我校教师科研创新意识，提升教学科研能力和水平，促进学术交流，科研部携手智能与电子工程学院，特约王宏波博士，介绍氮化镓宽禁带半导体的发展历史、衬底与外延生长技术基本方法与原理，讲解氮化物宽禁带半导体在照明领域、显示领域、深紫外领域以及功率器件领域的应用情况等方面的内容。欢迎广大教师积极参与！

本次会议具体事宜如下：

会议时间：2023年5月16日（周二）下午15：30-16：30

会议地点：A2-330

主讲人学术简历：王宏波，博士，大连东软信息学院智能与通信系副主任，专业研究方向为：宽禁带半导体功率器件智能化设计方法。曾从事采用物理气相沉淀法和化学气相沉淀法联合制备低缺陷氮化镓晶体的生长动力学研究以及缺陷密度对InGaN/GaN多重量子阱的发光效率的影响评价等工作。在宽禁带半导体领域发表SCI论文4篇，在宽禁带半导体领域国际学会IWN，ICNS上发表相关成果3次。

                                                      科研部

                                                       2023年5月15日